合科泰新推出TOLL4封裝MOS管:12V/24V高電流系統(tǒng)的性能解決方案
關(guān)鍵詞: HKTS190N03 MOS管 12V/24V電源系統(tǒng) BMS系統(tǒng)
應(yīng)用背景
在如BMS、電機(jī)控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)的12V/24V電源系統(tǒng)中,高電流容量、低損耗與可靠性是核心需求,合科泰新推出的HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管,正是針對(duì)這類場(chǎng)景的高性能解決方案。兩款產(chǎn)品均采用TOLL4-6R封裝,連續(xù)漏極電流達(dá)190A,覆蓋30V/20V電壓等級(jí),通過(guò)工藝與參數(shù)的差異化設(shè)計(jì),滿足不同應(yīng)用的電路需求。
技術(shù)工藝與核心電氣特性
HKTS190N03與HKTS190N04的核心差異在于工藝。HKTS190N03采用先進(jìn)溝槽技術(shù),平衡了性能與成本,低柵極電荷特性簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì),優(yōu)秀的Cdv/dt抑制能力可減少開(kāi)關(guān)過(guò)程中的噪聲,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性;HKTS190N04采用分離柵溝槽技術(shù),進(jìn)一步優(yōu)化導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)速度,其導(dǎo)通電阻低至1.85mΩ(HKTS190N03為2.3mΩ),柵極電荷特性更優(yōu),意味著在相同電流下,功率損耗更小,效率更高。
應(yīng)用場(chǎng)景的電路原理
兩款MOS管的價(jià)值,需結(jié)合具體電路場(chǎng)景理解:
1.BMS系統(tǒng):大電流下的低損耗與安全保護(hù)
在BMS中,MOS管的核心作用是主回路開(kāi)關(guān)與預(yù)充電控制:
主回路開(kāi)關(guān):MOS管作為電池組與負(fù)載之間的總開(kāi)關(guān),190A的連續(xù)電流容量可應(yīng)對(duì)如電動(dòng)汽車加速、儲(chǔ)能系統(tǒng)放電的12V/24V系統(tǒng)的峰值電流;HKTS190N04的1.85mΩ低導(dǎo)通電阻特性確保大電流下的功率損耗最小化,以190A電流計(jì)算,HKTS190N04的導(dǎo)通損耗僅約0.067W,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)MOS管,直接提升系統(tǒng)效率。
預(yù)充電控制:系統(tǒng)上電時(shí),電容會(huì)產(chǎn)生可能達(dá)數(shù)百安的沖擊電流,MOS管配合預(yù)充電電阻使用,通過(guò)快速開(kāi)關(guān)特性限制電流峰值,MOS管逐步導(dǎo)通的過(guò)程中,沖擊電流被控制在安全范圍,避免損壞電容或電池,同時(shí)預(yù)充電時(shí)間縮短至毫秒級(jí),提升系統(tǒng)啟動(dòng)效率。
2.電機(jī)控制:高頻PWM下的高效與穩(wěn)定
在如工業(yè)伺服、電動(dòng)工具的12V/24V電機(jī)控制系統(tǒng)中,MOS管用于三相橋臂拓?fù)渑c續(xù)流回路:
三相橋臂設(shè)計(jì):HKTS190N04的分離柵技術(shù)帶來(lái)更快的開(kāi)關(guān)速度,適合高頻PWM控制,當(dāng)PWM信號(hào)切換時(shí),MOS管快速導(dǎo)通、關(guān)斷,改變電機(jī)繞組的電流方向與占空比,實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié);更快的開(kāi)關(guān)速度可降低開(kāi)關(guān)損耗,尤其在高頻場(chǎng)景下,損耗減少幅度可達(dá)20%以上,直接提升電機(jī)效率。
續(xù)流回路:電機(jī)繞組是感性負(fù)載,當(dāng)MOS管關(guān)斷時(shí),電感可能會(huì)產(chǎn)生遠(yuǎn)超電源電壓的反向電動(dòng)勢(shì),此時(shí)MOS管內(nèi)置的體二極管導(dǎo)通,將反向電流導(dǎo)回電源或電容,避免擊穿MOS管,這種設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了電路,同時(shí)比比TO-252提升30%散熱的TOLL4封裝,能夠確保體二極管長(zhǎng)期工作的可靠性。
3.負(fù)載開(kāi)關(guān):精準(zhǔn)控制與低功耗的平衡
在如通信設(shè)備、工業(yè)電源的多負(fù)載系統(tǒng)中,MOS管用于電源分配與熱插拔控制:
電源分配:MOS管作為子系統(tǒng)的電源開(kāi)關(guān),低導(dǎo)通電阻特性減少靜態(tài)功耗,對(duì)于如便攜式儀器電池供電的設(shè)備,靜態(tài)功耗每降低1mW,續(xù)航時(shí)間可延長(zhǎng)約10分鐘;190A的電流容量足以驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載。
熱插拔控制:當(dāng)模塊插入系統(tǒng)時(shí),MOS管通過(guò)漸變導(dǎo)通限制沖擊電流,避免系統(tǒng)電壓波動(dòng);HKTS190N04的快速開(kāi)關(guān)特性確保熱插拔過(guò)程在數(shù)百毫秒內(nèi)完成,既保護(hù)模塊,又不影響系統(tǒng)運(yùn)行。
PCB兼容性與可靠性:從設(shè)計(jì)到落地的便利
兩款產(chǎn)品均采用TOLL4-6R封裝,與傳統(tǒng)TO-252封裝引腳完全兼容,設(shè)計(jì)工程師無(wú)需修改PCB布局,即可將舊方案升級(jí)為更高性能的TOLL4版本;同時(shí),TOLL4封裝的更大散熱pad,與優(yōu)化引腳布局,進(jìn)一步提升了高功率應(yīng)用的可靠性。
此外,兩款MOS管均滿足-40℃至150℃的結(jié)溫范圍,通過(guò)RoHS環(huán)保認(rèn)證,且經(jīng)過(guò)100%包括電參數(shù)、溫度循環(huán)、濕度測(cè)試的出廠測(cè)試,確保批量一致性。
選型建議:匹配場(chǎng)景的精準(zhǔn)選擇
HKTS190N03:適合成本敏感、中等頻率的應(yīng)用,如12VBMS主回路、低功率電機(jī)控制,其優(yōu)秀的Cdv/dt抑制能力可減少開(kāi)關(guān)噪聲,是性能與成本平衡的理想選擇;
HKTS190N04:適合高頻PWM、高功率的場(chǎng)景,其1.85mΩ的超低導(dǎo)通電阻與分離柵技術(shù),能帶來(lái)更優(yōu)的效率與穩(wěn)定性,是追求極致性能的首選。
合科泰HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管,通過(guò)工藝優(yōu)化與參數(shù)差異化,為12V/24V高電流系統(tǒng)提供了從原理到應(yīng)用的完整解決方案。無(wú)論是BMS的低損耗需求、電機(jī)控制的高頻效率,還是負(fù)載開(kāi)關(guān)的精準(zhǔn)控制,兩款產(chǎn)品都能匹配場(chǎng)景需求,為設(shè)計(jì)工程師提供可靠、高效的選擇。
公司介紹
合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術(shù)及專精特新企業(yè)。專注提供高性價(jià)比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù),滿足企業(yè)研發(fā)需求。
產(chǎn)品供應(yīng)品類:全面覆蓋分立器件及貼片電阻等被動(dòng)元件,主要有MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復(fù)、橋堆、二極管、三極管、電阻、電容。
兩大智能生產(chǎn)制造中心:華南和西南制造中心(惠州7.5萬(wàn)㎡+南充3.5萬(wàn)㎡)配備共3000多臺(tái)先進(jìn)設(shè)備及檢測(cè)儀器;2024年新增3家半導(dǎo)體材料子公司,從源頭把控產(chǎn)能與交付效率。
提供封裝測(cè)試OEM代工:支持樣品定制與小批量試產(chǎn),配合100多項(xiàng)專利技術(shù)與ISO9001、IATF16949認(rèn)證體系,讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。
合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”為核心,為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。
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