- 三星4nm制程良率提升至60%~70%，獲美國AI公司超1億美元芯片訂單
- 英特爾18A良率顯著提升，先進封裝受益CoWoS“溢出效應”
- 消息稱三星2nm Exynos 2600芯片良率達60%
- 2納米反攻戰(zhàn)！三星放話：今年要奪回代工王座 良率沖近七成
- 三星電子考慮解散1c DRAM良率專項小組 拼年內(nèi)量產(chǎn)HBM4
- 傳因良率問題，Intel 18A大規(guī)模量產(chǎn)將推遲至2026年一季度
- 傳英特爾18A芯片良率持續(xù)低迷，僅5%~10%
- 機構(gòu)：臺積電、英特爾、三星電子2nm代工節(jié)點良率分別約為65%、55%、40%
- 三星全力提升2納米良率至50%，力求追趕臺積電
- 消息稱三星 E2500 芯片良率不足 20%，尚不確定可否用于 S25 手機
