多顆MOS并聯(lián)時熱分布不均,導(dǎo)致個別器件過熱失效的原因與對策
在高功率應(yīng)用中,為了分擔(dān)電流、降低損耗,工程師往往會將多顆MOSFET并聯(lián)使用。例如在DC-DC電源、馬達(dá)驅(qū)動或逆變器電路中,通過并聯(lián)MOS實現(xiàn)更大的電流承載能力與更低的導(dǎo)通阻抗。然而,MDD FAE在現(xiàn)場常遇到這樣的問題:雖然設(shè)計理論上電流均分,但實測發(fā)現(xiàn)某顆MOS溫度明顯偏高,最終提前熱失效。這種“熱分布不均”的現(xiàn)象是并聯(lián)設(shè)計中最常見、也最容易被忽視的隱患之一。











