在所有的芯片中，存儲(chǔ)芯片是半導(dǎo)體行業(yè)最大的細(xì)分板塊。數(shù)據(jù)顯示，2022年全球市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)1800億美元，占半導(dǎo)體總規(guī)模的35%左右。

而中國(guó)最近三年，每年進(jìn)口集成電路超過(guò)4000億美元，其中存儲(chǔ)芯片占三分之一左右。

存儲(chǔ)芯片有很多種，但主要就是DRAM、NAND這兩種，合計(jì)占到所有存儲(chǔ)芯片的97%左右，其它的可以忽略。

而按照機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，2022年全球DRAM+NAND市場(chǎng)，至少有95%被國(guó)外廠商占領(lǐng)，而中國(guó)廠商合計(jì)接近于5%左右。

不過(guò)，這已經(jīng)是一個(gè)好消息了，因?yàn)樵?017年前，國(guó)內(nèi)的DRAM+NAND的份額基本等于0，完全沒(méi)有能力生產(chǎn)，如今只經(jīng)過(guò)了6年多時(shí)間，我們就在巨頭林立的市場(chǎng)，拿下了近5%的份額，進(jìn)步已經(jīng)相當(dāng)明顯了。

而在這場(chǎng)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠商的努力中，有兩大廠商值得大家記住，也正是因?yàn)檫@兩大廠商，才有了如今這近5%的份額。這兩大廠商就是長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)主攻NAND閃存，成立于2016年，但直到2017年才發(fā)布第一顆32層NAND閃存芯片，當(dāng)時(shí)已落后三星等廠商5年以上。

不過(guò)后來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)不斷努力，推出了Xtacking架構(gòu)，甚至全球首發(fā)232層3D NAND閃存，在3D NAND閃存領(lǐng)域進(jìn)入國(guó)際一流梯隊(duì)，追上了三星、美光等廠商。

2021年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND領(lǐng)域的份額約為4%，2022年估算達(dá)到7%，已經(jīng)不容小覷了。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)主攻DRAM內(nèi)存，成立于2018年，長(zhǎng)鑫是買(mǎi)到了德國(guó)內(nèi)存企業(yè)奇夢(mèng)達(dá)的1000萬(wàn)份內(nèi)存技術(shù)文件，才進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)的。

目前長(zhǎng)鑫最先進(jìn)的量產(chǎn)芯片主要是19nm工藝的DDR4，和國(guó)際巨頭相比落后5-6年，但不可否認(rèn)的是，DDR4目前還有非常大的市場(chǎng)，且目前內(nèi)存技術(shù)放緩，給了長(zhǎng)鑫追趕的時(shí)機(jī)。

而機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2022年，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額估計(jì)已超過(guò)3%，也算是初步打破了國(guó)際巨頭對(duì)DRAM的壟斷。

這段時(shí)間，大家看到不管是DRAM內(nèi)存，還是NAND閃存產(chǎn)品，都是價(jià)格大降，這一方面有經(jīng)濟(jì)不景氣，消費(fèi)電子產(chǎn)品不好賣(mài)的原因。另外一方面，也有國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片上市，打破定價(jià)權(quán)的原因。

而隨著這兩大企業(yè)繼續(xù)努力，以及產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善，再加上自主可控的舉國(guó)體制，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的春天，就在眼前了，你覺(jué)得呢？