目前全球已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是5nm，臺(tái)積電明年就要量產(chǎn)3nm工藝，不過(guò)3nm節(jié)點(diǎn)他們依然選擇FinFET晶體管技術(shù)，三星則選擇了GAA技術(shù)，日前三星也成功流片了3nm GAA芯片，邁出了關(guān)鍵一步。

在3nm節(jié)點(diǎn)，三星比較激進(jìn)，直接選擇了下一代工藝技術(shù)——GAA環(huán)繞柵極晶體管，通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說(shuō)法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn)，這次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的，雙方聯(lián)合驗(yàn)證了該工藝的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)流程，是3nm GAA工藝的里程碑。

不過(guò)三星、Synopsys并沒(méi)有透露這次驗(yàn)證的3nm GAA芯片的詳情，官方只說(shuō)GAA架構(gòu)改進(jìn)了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。

3nm GAA工藝流片意味著該工藝量產(chǎn)又近了一步，不過(guò)最終的進(jìn)度依然不好說(shuō)，三星最早說(shuō)在2021年就能量產(chǎn)，后來(lái)推遲到2022年，但是從現(xiàn)在的情況來(lái)看，明年臺(tái)積電3nm工藝量產(chǎn)時(shí)，三星的3nm恐怕還沒(méi)準(zhǔn)備好，依然要晚一些。